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产品展示

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产品展示描述文字!

PL3579

内置集成600V MOSFET 专利的过零检测技术,无需辅助绕组 全电压范围内实现高精度电流调节

PL3557

内置集成600V MOSFET 专利的过零检测技术,无需辅助绕组 全电压范围内实现高精度电流调节

PL3556

内置集成600V MOSFET 专利的过零检测技术,无需辅助绕组 全电压范围内实现高精度电流调节

PL3555

内置集成600V MOSFET 专利的过零检测技术,无需辅助绕组 全电压范围内实现高精度电流调节

PL3553

专利的过零检测技术,无需辅助绕组 全电压范围内实现高精度电流调节 去除光祸、次级控制电路和RCD吸收

PL3539C

内置集成600V MOSFET 专利的过零检测技术,无需辅助绕组 全电压范围内实现高精度电流调节

PL3537

内置集成600V MOSFET 专利的过零检测技术,无需辅助绕组 全电压范围内实现高精度电流调节 去除光祸、次级控制电路和RCD吸收

PL3536C

内置集成600V MOSFET 专利的过零检测技术,无需辅助绕组 全电压范围内实现高精度电流调节

PL3535C

内置集成600V MOSFET 专利的过零检测技术,无需辅助绕组 全电压范围内实现高精度电流调节

PL3533C

内置集成600V MOSFET 专利的过零检测技术,无需辅助绕组 全电压范围内实现高精度电流调节

PL3532

+/-5%恒流调节 全电压范围内实现高精度电流调节 去除光祸和次级控制电路 内置高精度恒流调节的线电压补偿

PL3537

  • 内置集成600V MOSFET   • 专利的过零检测技术,无需辅助绕组   • 全电压范围内实现高精度电流调节